在8月26日-28日举行的PCIM Asia2026展会上，青铜剑技术携驱动芯片、板卡及测试平台全系方案亮相，并重点发布15mm超宽体封装隔离驱动芯片系列，这是国产驱动在高压隔离领域的重要突破。
为什么是15mm？
1500V系统驱动挑战
随着碳化硅（SiC）器件在光伏逆变器、储能PCS、固态变压器（SST）、制氢电源等领域加速普及，母线电压正从1000V向1500V演进。1500V直流平台已成为新一代光伏和储能标配，相比1000V系统，组串数量提升50%，线缆用量减少30%。
电压升高，驱动芯片面临三大考验：
· 隔离耐压与爬电距离：主流SOIC封装爬电距离仅约8mm，难以满足1500V增强绝缘要求
· 共模干扰：SiC开关速度快，高dv/dt产生共模尖峰，普通光耦CMTI仅100kV/µs，远不能满足要求
· 驱动强度：大功率SiC并联需更大峰值电流
青铜剑技术15mm超宽体封装系列
青铜剑技术此次发布的15mm超宽体封装系列，给出了硬核答案。
核心指标一览：
· 爬电距离/电气间隙：15mm（比主流提升近一倍）
· 绝缘电压：8000Vrms（UL1577认证）
· TDDB绝缘寿命：30年@2200Vrms（故障率<1ppm）
· CMTI：250kV/µs（远超行业常规）
三款芯片，三种定位
BTD21750：全保护智能隔离驱动
· 采用磁隔离，SOWW-16封装，峰值拉灌电流15A，电源电压达36V
· 集成Desat短路保护和软关断功能——短路时栅压受控缓降，避免过冲击穿
· 具备RDY上电指示、XFLT故障反馈、XRST故障清除，以及模拟量隔离转PWM功能，让功率单元状态可视可控
· 典型应用：车载电控、SST、制氢电源、储能PCS
BTD23514M：兼容光耦，专为SiC优化
· 容隔驱动，SOWW-8封装，峰值拉灌电流10A，米勒钳位电流5A，能有效钳住栅极电位，防止高dv/dt下桥臂误开通
· 电源电压高达40V，输入反向击穿电压7V，CMTI达250kV/µs
· 兼容光耦接口，方便旧平台升级
· 典型应用：组串/集中式光伏逆变器、工商业及地面电站储能PCS
BTD23513：SiC与Si IGBT双兼容
· 同样15mm超宽体封装，拉电流6A、灌电流8A，电源电压40V，CMTI 250kV/µs，绝缘8kV
· 一颗芯片覆盖两类器件，简化BOM与供应链
· 典型应用：电机驱动、组串式光伏逆变器、储能PCS、混合逆变器
不止芯片：面向SST的整体方案
青铜剑技术同步提供SiC MOSFET驱动板及核心元器件，为SST等高压场景提供从芯片到板级的完整支撑。展位还展出多款明星产品：2CP0215T12xx系列（可编程62mm半桥驱动器）、2CP0425Txx系列（EconoDUALTM3即插即用）、2CP0335Vxx-XHP2系列（XHP2两并联方案）及QTJT-DP2000F便携式双脉冲测试平台。
