SiC MOSFET正在加速进入高压、高频、高温的应用场景，但驱动环节的适配难度不容忽视——门极电压不匹配、短路保护响应不够快、关断过压风险高等问题，往往制约了SiC器件性能的发挥。PCIM Asia 2026展会上，青铜剑技术展出了围绕“可编程”和“即插即用”思路设计的SiC MOSFET驱动器，提供了一些务实的解决思路。


可编程驱动

把参数调试从硬件层面搬到软件层面


62mm封装是工业级功率模块的常见规格，但不同厂商的SiC MOSFET模块在门极电压、短路耐受时间等参数上存在差异，传统固定参数的驱动器往往难以“一板通吃”。

2CP0215T12xx系列是一款针对62mm封装半桥模块设计的1200V可编程SiC MOSFET驱动器。其单通道驱动功率2W，峰值电流±15A，集成隔离DC/DC电源。


核心差异在于其全可编程架构——门极电压、欠压保护（UVLO）阈值、内置米勒钳位功能用于抑制误导通。短路保护的检测时间与消隐时间、软关断斜率均可通过软件配置。这意味着工程师可以在研发阶段通过软件调整驱动参数来匹配不同SiC MOSFET模块的特性，无需反复更换硬件或重新设计PCB。配套的轩辕智驱软件提供了参数配置界面。

对于需要频繁评估不同SiC MOSFET器件的研发团队来说，这种“调软件而不是调硬件”的方式，可以减少参数迭代过程中的重复劳动。


即插即用驱动

降低SiC MOSFET的导入门槛


SiC MOSFET的高速开关特性对驱动电路的布局布线提出了更高要求——驱动回路寄生电感控制不当，可能导致误触发或开关损耗增加。对于希望快速评估SiC方案但缺乏驱动设计经验的系统工程师而言，即插即用型驱动器是一个降低入门难度的选择。


2CP0425Txx系列适配EconoDualTM3封装的1700V SiC MOSFET模块

· 单通道驱动功率4W，峰值电流±25A，集成隔离DC/DC电源，负载调整率≤3%

· 支持直接/半桥模式选择，集成有源钳位与米勒钳位双重保护，内置短路保护与软关断功能

· 适用于工业电源、AIDC等大功率应用场景


2CP0335Vxx-XHP2系列则针对更高电压等级的场景——适配3300V SiC MOSFET模块的XHP2封装两并联应用

· 单通道驱动功率3W，峰值电流±35A

· 采用光信号输入以提高抗干扰能力

· 通道间信号偏差控制在±3ns以内，这对并联模块的开关一致性较为关键

· 集成隔离DC/DC电源、有源钳位、米勒钳位、短路保护及软关断功能

· 适用于轨道交通、大功率开关电源、大功率变频器等高压大功率场景


IGBT驱动产品线

从驱动核到成套方案


除了SiC MOSFET驱动方案，青铜剑技术IGBT驱动产品线也覆盖了从驱动核到即插即用模块再到成套ANPC方案的不同层次。


驱动核

· 2QD0108T17-x（1700V双通道，1W/±8A）和2QD0435T17-x（1700V双通道，4W/±35A）适用于需要自行设计外围电路的场景，均集成隔离DC/DC电源，支持直接/半桥模式选择，内置UVLO、有源钳位、短路保护、软关断。

· 2QD0535T33-x则将电压等级提升至3300V，单通道5W/±35A，面向轨道交通、矿用变频器、新能源变流器等应用。


即插即用驱动器

· 覆盖EconoDualTM3、PrimePackTM3、PrimePackTM3+、IHM、IHV等多种封装规格，电压等级从1700V到4500V。

· 其中，1QP04100Vxx系列针对4500V压接式封装单管模块设计，峰值电流达±100A，支持分级开通/关断和故障类型识别。


成套ANPC驱动方案

· 6AB0460Txx-TIxx系列提供6通道4W/60A驱动，适配1200V功率模块，集成NTC温度检测。

· 6AB0560T23系列则针对1800V交流系统，适配2300V功率模块和XHP2封装，增加了PWM智能管理和三电平时序管理功能。