由青铜剑技术和基本半导体团队联合研发的驱动板BSRD-2427，是一款专门针对34mm碳化硅MOSFET半桥模块设计的产品。该产品具有高可靠性、强适应性等特点，适用于碳化硅逆变弧焊机、碳化硅感应加热等应用。
产品特点
功率器件最高电压1200V
单通道驱动功率1W，峰值电流±10A
绝缘电压高达4000Vac
集成隔离DC/DC电源
集成原边/副边电源欠压保护
集成米勒钳位
配套零件
BSRD-2427所应用到的双通道隔离变压器、单通道隔离驱动芯片、正激DCDC电源芯片三款零件均为公司自主研发产品，客户可分别采购进行整体方案的设计。
隔离驱动专用正激DC-DC芯片BTP1521x
产品特点
输出功率可达6W
适用于给隔离驱动芯片副边电源供电
正激电路（H桥逆变或推挽逆变）
软启动时间1.5ms
工作频率可编程，最高工作频率可达1.3MHz
VCC供电电压可达24V
VCC欠压保护点4.7V
工作环境-40~125℃
芯片过温保护点150℃，过温恢复点120℃
体积封装小
应用推荐电路图
DC1和DC2接变压器原边线圈，副边二极管桥式整流，组成开环的全桥拓扑（H桥逆变），输出功率可达6W，输出经过电阻和稳压管分压后构成正负压，供碳化硅MOSFET使用，适用于给隔离驱动芯片副边电源供电。
BTP1521推荐电路（功率6W情况下）
当副边需求功率大于6W时，可以使用推挽逆变拓扑，通过DC1和DC2端控制外接的MOSFET增加输出功率。
BTP1521推荐电路（功率大于6W情况下）
双通道隔离变压器TR-P15DS23-EE13
产品特点
TR-P15DS23-EE13是驱动器专用的隔离电源变压器
采用EE13骨架（磁芯材质铁氧体）
可实现驱动器隔离供电，传输功率可达4W（每通道2W）
BTP1521F搭配隔离变压器TR-P15DS23-EE13典型应用介绍
全桥式拓扑，副边两路输出，单路输出功率可达2W，总输出功率4W
输入电压15V，副边全桥整流输出全电压（VISO-COM=23V）
输出全电压通过4.7V的稳压管，将全电压拆分成正电压（VISO-VS=18V），负电压（COM-VS=-4V）
BTP1521F的OSC管脚通过电阻R5=42.2kΩ接地，设置工作频率为F=477kHz
工作频率可以通过RF-set电阻设置，本公式提供了RF-set(kΩ)和F(kHz)之间的关系（典型值）：
隔离驱动BTD5350MCWR
典型应用介绍
原方VCC供电电压15V
BTD5350xx是电压型输入的电容隔离的驱动芯片，输入INx是高阻抗引脚，如果输入信号PCB布线不合理，容易导致输入信号受到干扰。为了使芯片的输入端表现为电流源特征，建议在PWM输入接电阻R1=3kΩ到地。如果PWM电平为15V，则PWM线上的电流约为5mA，目的是使得PWM信号的线路上能产生足够的电流，可以避免芯片输入IN脚受到干扰，同时靠近芯片IN脚接滤波电容C1=100pF到地
副方电源VISO接+18V，COM接-4V，G连接到主功率板上的门极电阻
驱动芯片米勒钳位Clamp连接到主功率板上碳化硅MOSFET门极
典型半桥应用介绍---防桥臂直通互锁设计
PWM1信号经过RC网络连接到IN1+和IN2-，PWM2信号经过RC网络连接到IN2+和IN1-，进行PWM信号输入互锁，当PWM1和PWM2同时为高电平时，驱动芯片BTD5350MCWR副边同时输出低电平，防止桥臂直通。
适配模块推荐
BSRD-2427驱动板可适配基本半导体34mm封装全碳化硅MOSFET半桥模块，该模块采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术，在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
产品特点
采用基本半导体第三代碳化硅MOSFET芯片技术，性能显著提升
低导通电阻，高温下RDS(on)表现优异，导通损耗更低，稳定性强
低开关损耗，支持高频运行，功率密度大幅提升
高工作结温，Tvj=175℃
